Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets

  • Dades identificatives

    Identificador:  TDX:1152
    Handle:  https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1152
    Autors:  Darbandy, Ghader

  • Altres:

    Data: 2012-12-10; 2013-01-15T11:05:30Z; 2013-01-15T11:05:30Z
    Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: T.59-2013; http://hdl.handle.net/10803/97215
    Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Darbandy, Ghader
    Director: Íñiguez Nicolau, Benjamí
    Format: application/pdf; application/pdf; 149 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Paraula Clau: Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets
    Títol: Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets
    Matèria: 621.3; Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets

  • Paraules clau:

    621.3
    Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar