Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets

  • Datos identificativos

    Identificador: TDX:1152
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1152

  • Autores:

    Darbandy, Ghader

  • Otros:

    Fecha: 2012-12-10
    Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/97215
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Darbandy, Ghader
    Director: Íñiguez Nicolau, Benjamí
    Formato: application/pdf 149 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets
    Título: Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets
    Materia: 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions

  • Palabras clave:

    621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions

  • Documentos:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar