Tesis doctoralsDepartament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Two-Dimensional Analytical Modeling of Tunnel-FETs

  • Dades identificatives

    Identificador:  TDX:2576
    Autors:  Gräf, Michael
  • Altres:

    Data: 2017-07-05
    Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/450516
    Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Gräf, Michael
    Director: Klös, Alexander; Iñiguez Nicolau, Benjamin
    Format: 150 p.; application/pdf
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Paraula Clau: variability; analytical modeling; variabilidad; modelado analítico; variabilitat; modelatge analític; Tunnel-FET
    Títol: Two-Dimensional Analytical Modeling of Tunnel-FETs
    Matèria: 621.3; 62; Enginyeria i arquitectura; variability; analytical modeling; variabilidad; modelado analítico; variabilitat; modelatge analític; Tunnel-FET
  • Paraules clau:

    621.3
    62
    Enginyeria i arquitectura
    variability
    analytical modeling
    variabilidad
    modelado analítico
    variabilitat
    modelatge analític
    Tunnel-FET
  • Documents:

  • Cerca a google

    Search to google scholar