Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Two-Dimensional Analytical Modeling of Tunnel-FETs

  • Datos identificativos

    Identificador: TDX:2576
  • Autores:

    Gräf, Michael
  • Otros:

    Fecha: 2017-07-05
    Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/450516
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Gräf, Michael
    Director: Klös, Alexander Iñiguez Nicolau, Benjamin
    Formato: 150 p. application/pdf
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: variability analytical modeling variabilidad modelado analítico variabilitat modelatge analític Tunnel-FET
    Título: Two-Dimensional Analytical Modeling of Tunnel-FETs
    Materia: 621.3 62 Enginyeria i arquitectura variability analytical modeling variabilidad modelado analítico variabilitat modelatge analític Tunnel-FET
  • Palabras clave:

    621.3
    62
    Enginyeria i arquitectura
    variability
    analytical modeling
    variabilidad
    modelado analítico
    variabilitat
    modelatge analític
    Tunnel-FET
  • Documentos:

  • Cerca a google

    Search to google scholar