Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs

  • Dades identificatives

    Identificador: TDX:3102
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX3102

  • Autors:

    Farokhnejad, Atieh

  • Altres:

    Data: 2020-07-16
    Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/669806
    Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Farokhnejad, Atieh
    Director: Iñiguez Nicolau, Benjamin Marie Lime, François Gilbert Klös, Alexander Gunther
    Format: 120 p. application/pdf
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Paraula Clau: Capacitance model compact modeling Tunnel-FET model de capacitància model compacte FET túnel
    Títol: Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs
    Matèria: 621.3 62 Enginyeria i arquitectura Capacitance model compact modeling Tunnel-FET model de capacitància model compacte FET túnel

  • Paraules clau:

    621.3
    62
    Enginyeria i arquitectura
    Capacitance model
    compact modeling
    Tunnel-FET
    model de capacitància
    model compacte
    FET túnel

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar