Tesis doctoralsDepartament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs

  • Dades identificatives

    Identificador:  TDX:3102
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX3102
    Autors:  Farokhnejad, Atieh

  • Altres:

    Data: 2020-07-16; 2020-10-20T10:19:05Z; 2020-10-20T10:19:05Z
    Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/669806
    Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Farokhnejad, Atieh
    Director: Iñiguez Nicolau, Benjamin; Marie Lime, François Gilbert; Klös, Alexander Gunther
    Format: application/pdf; application/pdf; 120 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Paraula Clau: Capacitance model; compact modeling; Tunnel-FET; model de capacitància; model compacte; FET túnel
    Títol: Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs
    Matèria: 621.3; 62; Enginyeria i arquitectura; Capacitance model; compact modeling; Tunnel-FET; model de capacitància; model compacte; FET túnel

  • Paraules clau:

    621.3
    62
    Enginyeria i arquitectura
    Capacitance model
    compact modeling
    Tunnel-FET
    model de capacitància
    model compacte
    FET túnel

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar