Tesis doctoralsDepartament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs

  • Identification data

    Identifier:  TDX:3102
    Handle: https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX3102
    Authors:  Farokhnejad, Atieh

  • Others:

    Date: 2020-07-16; 2020-10-20T10:19:05Z; 2020-10-20T10:19:05Z
    Departament/Institute: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.
    Language: eng
    Identifier: http://hdl.handle.net/10803/669806
    Source: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Author: Farokhnejad, Atieh
    Director: Iñiguez Nicolau, Benjamin; Marie Lime, François Gilbert; Klös, Alexander Gunther
    Format: application/pdf; application/pdf; 120 p.
    Publisher: Universitat Rovira i Virgili
    Keywords: Capacitance model; compact modeling; Tunnel-FET; model de capacitància; model compacte; FET túnel
    Title: Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs
    Subject: 621.3; 62; Enginyeria i arquitectura; Capacitance model; compact modeling; Tunnel-FET; model de capacitància; model compacte; FET túnel

  • Keywords:

    621.3
    62
    Enginyeria i arquitectura
    Capacitance model
    compact modeling
    Tunnel-FET
    model de capacitància
    model compacte
    FET túnel

  • Documents:

    Memoria

  • Cerca a google

    Search to google scholar