Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs

Fecha: 2020-07-16; 2020-10-20T10:19:05Z; 2020-10-20T10:19:05Z

Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.

Idioma: eng

Identificador: http://hdl.handle.net/10803/669806

Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

Autor: Farokhnejad, Atieh

Director: Iñiguez Nicolau, Benjamin; Marie Lime, François Gilbert; Klös, Alexander Gunther

Formato: application/pdf; application/pdf; 120 p.

Editor: Universitat Rovira i Virgili

Palabra clave: Capacitance model; compact modeling; Tunnel-FET; model de capacitància; model compacte; FET túnel

Título: Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs

Materia: 621.3; 62; Enginyeria i arquitectura; Capacitance model; compact modeling; Tunnel-FET; model de capacitància; model compacte; FET túnel