Fecha: 2020-07-16
Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
Idioma: eng
Identificador: http://hdl.handle.net/10803/669806
Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
Autor: Farokhnejad, Atieh
Director: Iñiguez Nicolau, Benjamin Marie Lime, François Gilbert Klös, Alexander Gunther
Formato: 120 p. application/pdf
Editor: Universitat Rovira i Virgili
Palabra clave: Capacitance model compact modeling Tunnel-FET model de capacitància model compacte FET túnel
Título: Compact Modeling of Intrinsic Capacitances in Double-Gate Tunnel-FETs
Materia: 621.3 62 Enginyeria i arquitectura Capacitance model compact modeling Tunnel-FET model de capacitància model compacte FET túnel
Repositori URV