Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact Modeling of Schottky Barrier and Reconfigurable Field-Effect Transistors

  • Dades identificatives

    Identificador:  TDX:4406
    Handle:  https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX4406
    Autors:  Römer, Christian

  • Altres:

    Data: 2024-05-02; 2024-05-30T10:22:22Z; 2024-05-30T10:22:22Z
    Departament/Institut: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica; Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/691174
    Font: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Römer, Christian
    Director: Klös, Alexander Gunther; Íñiguez Nicolau, Benjamin
    Format: application/pdf; 168 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Paraula Clau: reconfigurable FET; compact modeling; Schottky barrier FET; modelo compacto; FET reconfigurable; modelo compacte; FET de barrera Schottky
    Títol: Compact Modeling of Schottky Barrier and Reconfigurable Field-Effect Transistors
    Matèria: 621.3; 62; Ciències; reconfigurable FET; compact modeling; Schottky barrier FET; modelo compacto; FET reconfigurable; modelo compacte; FET de barrera Schottky

  • Paraules clau:

    621.3
    62
    Ciències
    reconfigurable FET
    compact modeling
    Schottky barrier FET
    modelo compacto
    FET reconfigurable
    modelo compacte
    FET de barrera Schottky

  • Cerca a google

    Search to google scholar