Tesis doctorals> Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Compact Modeling of Schottky Barrier and Reconfigurable Field-Effect Transistors

  • Datos identificativos

    Identificador: TDX:4406
    Handle: http://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX4406

  • Autores:

    Römer, Christian

  • Otros:

    Fecha: 2024-05-02 2024-05-30T10:22:22Z 2024-05-30T10:22:22Z
    Departamento/Instituto: Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica Universitat Rovira i Virgili.
    Idioma: eng
    Identificador: http://hdl.handle.net/10803/691174
    Fuente: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
    Autor: Römer, Christian
    Director: Klös, Alexander Gunther Íñiguez Nicolau, Benjamin
    Formato: application/pdf 168 p.
    Editor: Universitat Rovira i Virgili
    Palabra clave: reconfigurable FET compact modeling Schottky barrier FET modelo compacto FET reconfigurable modelo compacte FET de barrera Schottky
    Título: Compact Modeling of Schottky Barrier and Reconfigurable Field-Effect Transistors
    Materia: 621.3 62 Ciències reconfigurable FET compact modeling Schottky barrier FET modelo compacto FET reconfigurable modelo compacte FET de barrera Schottky

  • Palabras clave:

    621.3
    62
    Ciències
    reconfigurable FET
    compact modeling
    Schottky barrier FET
    modelo compacto
    FET reconfigurable
    modelo compacte
    FET de barrera Schottky

  • Documentos:

  • Cerca a google

    Search to google scholar